HYG011N04LS1TA — N-канальний MOSFET потужного типу
-
Тип: N-канальний MOSFE (enhancement-mode)
-
Максимальна напруга сток-витік: 40 В
-
Максимальний струм стоку: до 320 А
-
RDS(ON)=0.9 mΩ(typ.)@VGS = 10V
-
RDS(ON)=1.3 mΩ(typ.)@VGS = 4.5V
-
Корпус: TOLL
-
Температурний діапазон: ~-55 °C … +175 °C
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 320 А |
Інформація для замовлення
- Ціна: 100 ₴


