IGBT-Транзистор SGB10N60A, G10N60A (IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL) INFINEON
86 ₴
- Готово до відправки
- Код: TS1028
IGBT-Транзистор SGB10N60A, G10N60A (IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL) INFINEONГотово до відправки
86 ₴
+380 (95) 371-90-91
Менеджер з продажуповернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-Транзистор SGB10N60A, G10N60A (IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL) INFINEON
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G10N60A
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 92
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
Тип корпуса: To-263
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 20 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 92 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 86 ₴