Транзистор 4C09B NTMFS4C09NBT1G N-ch 9A 30V
85 ₴
- Готово до відправки
- Код: TS1057
Транзистор 4C09B NTMFS4C09NBT1G N-ch 9A 30VГотово до відправки
85 ₴
+380 (95) 371-90-91
Менеджер з продажуповернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор 4C09B, NTMFS4C09NBT1G, N-ch 9A 30V
4C09B — це потужний N-канальний MOSFET-транзистор, аналогічний моделі NTMFS4C09N від ON Semiconductor.
Основні характеристики:
-
Напруга стік-витік (VDS): 30 В
-
Максимальний струм стоку (ID): 52 А
-
Сопротивлення каналу у відкритому стані (RDS(on)): 5,8 мОм
-
Корпус: SO-8FL (поверхневий монтаж)
Завдяки низькому RDS(on) та оптимізованому заряду затвора, цей транзистор забезпечує високу ефективність при перемиканні та мінімальні втрати потужності.
Застосування:
Використовується в блоках живлення, DC-DC перетворювачах, материнських платах ноутбуків та іншій електроніці, де потрібне ефективне керування потужністю.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 85 ₴