Транзистор 10N60 10NM60N STD10NM60N MOSFET N -Channel 600V 10A
75 ₴
- Немає в наявності
- Код: TS1050
Транзистор 10N60 10NM60N STD10NM60N MOSFET N -Channel 600V 10AНемає в наявності
75 ₴
+380 (95) 371-90-91
Менеджер з продажуповернення товару протягом 14 днів за домовленістю
Транзистор 10N60 10NM60N STD10NM60N MOSFET N -Channel 600V 10A
Позначення типу: STD10NM60N
Код маркування: 10NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Тип каналу керування: N-канал
Pd - Максимальна розсіювана потужність: 70 Вт
|Vds| - Максимальна напруга стік-витік: 600 В
|Vgs| - Максимальний затвор -Напруга джерела: 25 В
|Vgs(th)| - Максимальна порогова напруга затвора: 4 В
|Id| - Максимальний струм витоку: 10 A
Tj - Максимальна температура з'єднання: 150 °C
Qg - Загальний заряд затвора: 19 нКл
tr - Час наростання: 12 нс
Coss - Вихідна ємність: 44 пФ
Rds - максимальний опір у відкритому стані сток-витік: 0,55 Ом
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 75 ₴