Транзистор 4C50, NTMFD4C50N MOSFET 30V 12A
104 ₴
- Готово до відправки
- Код: TS1047
Транзистор 4C50, NTMFD4C50N MOSFET 30V 12AГотово до відправки
104 ₴
+380 (95) 371-90-91
Менеджер з продажуповернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор 4C50, NTMFD4C50N MOSFET 30V 12A
Найменування приладу: NTMFD4C50N
Маркування: 4C50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pd - Максимальна розсіювана потужність: 1.88 W
|Vds| - Гранично допустима напруга стік-витік: 30 V
|Vgs| - Гранично допустима напруга затвор-джерело: 20 V
|Vgs(th)| - Порогова напруга увімкнення: 2.1 V
|Id| - Максимально допустимий постійний струм стоку: 12 A
Tj - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg - Загальний заряд затвора: 9.3 nC
tr - Час наростання: 26 ns
Coss - Вихідна ємність: 430 pf
Rds - Опір сток-істок відкритого транзистора: 0.0073 Ohm
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.88 Вт |
Інформація для замовлення
- Ціна: 104 ₴