
Транзистор 4C50, NTMFD4C50N MOSFET 30V 12A
104 ₴
- Готово к отправке
- Код: TS1047
+380 (95) 371-90-91
Менеджер по продажамвозврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор 4C50, NTMFD4C50N MOSFET 30V 12A
Наименование прибора: NTMFD4C50N
Маркировка: 4C50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.88 W
|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg - Общий заряд затвора: 9.3 nC
tr - Время нарастания: 26 ns
Coss - Выходная емкость: 430 pf
Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.88 Вт |
Информация для заказа
- Цена: 104 ₴


