Мікросхема FDPC5018SG
Найменування приладу: FDPC5018SG
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 23 W
Гранично допустима напруга сток-джерело |Uds|: 30 V
Гранично допустима напруга затвор-джерело |Ugs|: 20 V
Порогова напруга увімкнення |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 56 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Час наростання (tr): 2 ns
Вихідна ємність (Cd): 397 pf
Опір стік-істок відкритого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпусу: POWERCLIP5X6
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Стан | Новий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 86 ₴


