IGBT-Транзистор SGB10N60A, G10N60A (IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL) INFINEON
86 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- Готово к отправке
- Код: TS1028
IGBT-Транзистор SGB10N60A, G10N60A (IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL) INFINEONГотово к отправке
86 ₴
+380 (95) 371-90-91
Менеджер по продажамвозврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-Транзистор SGB10N60A, G10N60A (IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL) INFINEON
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G10N60A
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 92
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
Тип корпуса: To-263
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 20 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 92 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
Информация для заказа
- Цена: 86 ₴